內(nèi)孔感應(yīng)加熱在半導(dǎo)體材料硅或鍺的單品體巾，因?yàn)樵璧臒峄顒?dòng)，使其外層電子自晶體共價(jià)鍵中擺脫而成為自由電子，跑掉落電子的處所便成為空穴。在純硅或鋪中存在著數(shù)量相等的自由電子和空穴。

　　內(nèi)孔感應(yīng)加熱若在純單晶硅或鍺中摻入微量的冊(cè)、銦、鎵等元素，使之產(chǎn)生大年夜量的空穴，這就是P型半導(dǎo)體；而摻人磷、砷、銻等元素，使之產(chǎn)生大年夜量的自由電子，這就是N型半導(dǎo)體。把P型與N型半導(dǎo)體經(jīng)由過程必定的工藝過程貫穿連接在一路，就可制成羋導(dǎo)體=極管。

    內(nèi)孔感應(yīng)加熱晶體二檻管義叫半導(dǎo)體二槭管，由千具有體積小，構(gòu)造簡(jiǎn)單，應(yīng)用壽命睦，不須要燈絲加熱等一系到長處，近年來在高頻機(jī)上已慢慢代替了真空=極管成充氣管，有的已全部代替。

　　內(nèi)孔感應(yīng)加熱半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電道理。在外電場(chǎng)感化下，空穴（帶正電）向負(fù)極移動(dòng)，電子（帶負(fù)電）則向正極移動(dòng)，如許使空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變得很窄，即正向電阻很小，電流將經(jīng)由過程PN結(jié)由流動(dòng)。若p區(qū)接負(fù)極而/N區(qū)接正極時(shí)，空穴和農(nóng)村移動(dòng)偏向相反，空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變得報(bào)寬，反向電兒急劇增大年夜。這就是半導(dǎo)體晶體二極管尊偏領(lǐng)導(dǎo)申，弗在電路中完成整流義務(wù)的基來源基本理。一般晶體二極僻許可汝世的電流不大年夜，而硅二投管則可達(dá)效百安。